RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
36
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
25
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
2544
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link