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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
36
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
33
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
2590
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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