Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Puntuación global
star star star star star
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    36 left arrow 38
    En 5% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    15.1 left arrow 15
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    11.6 left arrow 10.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 17000
    En 1.51 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    36 left arrow 38
  • Velocidad de lectura, GB/s
    15.0 left arrow 15.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    10.3 left arrow 11.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2569 left arrow 2382
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones