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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Puntuación global
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
36
En -16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
31
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2497
3500
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
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