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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
30
En 23% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
3106
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
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