RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
35
En 34% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
2699
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link