RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
30
En 23% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
3100
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link