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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
36
En 36% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.3
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.8
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
36
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
21.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
16.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
3610
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
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