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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
37
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3089
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
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