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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
37
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
36
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2474
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
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