RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
46
En 20% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
46
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2632
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link