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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Compara
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
12.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
41
En -58% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
41
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
12.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
2186
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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