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Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Compara
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
37
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
25
Velocidad de lectura, GB/s
14.6
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2409
2910
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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