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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
70
En 60% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
70
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
1971
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
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