RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
28
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3097
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link