RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
28
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
20
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3217
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link