RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
29
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.9
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
15.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3501
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link