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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
45
En 38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.7
5.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
45
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
5.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
1535
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
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