RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
53
En 47% menor latencia
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
53
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2310
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link