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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
35
En -106% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.0
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
17
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
22.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
17.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
3731
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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