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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
35
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.3
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.8
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
28
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
17.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
4065
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
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