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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
35
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
27
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
3711
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
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