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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
35
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
26
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
2806
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
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