RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
76
En 49% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
76
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
1859
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link