RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
56
66
En 15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
66
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
2429
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Informar de un error
×
Bug description
Source link