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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
22.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
56
En -107% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
27
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
22.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
3861
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
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Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
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