RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
55
56
En -2% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.4
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.2
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
55
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
9.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
7.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
2117
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link