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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3409
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
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