RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
26
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3843
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Elpida EBJ41UF8EDU0-DJ-F 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link