RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.9
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
15.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3587
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston KHX16 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link