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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3294
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
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