RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Compara
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
33
En 15% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
33
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2213
2988
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link