RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Compara
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2213
2179
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link