RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
51
En -122% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
23
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
3130
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link