RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
51
52
En 2% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
52
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
2182
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link