RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
51
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.7
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
34
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
19.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
3700
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link