RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
51
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
39
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
2725
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link