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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
51
En -113% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
24
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
2865
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
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