RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
51
En -113% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
24
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
2432
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link