RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
49
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.5
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
35
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
10.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
1998
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link