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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
49
En -113% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
23
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
2951
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
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