RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
49
En -96% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
25
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
2544
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link