RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
49
En -123% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
22
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
2648
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link