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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Compara
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
52
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
36
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2179
2734
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
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Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
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Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
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