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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
49
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
36
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2920
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
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