RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Compara
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Puntuación global
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
47
73
En 36% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
73
Velocidad de lectura, GB/s
10.4
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2169
1843
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link