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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
6.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
33
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11
8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
28
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
11.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
6.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
1775
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
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