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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
76
En 57% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
76
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
1859
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
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Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
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