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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
33
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
24
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
2925
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
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