RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
54
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.1
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
41
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
13.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2395
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link